图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
FDMS86152 |
| 文档 |
Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 14A (Ta), 45A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 标准包装 | 3,000 |
| 供应商设备封装 | Power56 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 6 mOhm @ 14A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.7W |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 3370pF @ 50V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 50nC @ 10V |
| 其他名称 | FDMS86152CT |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流 | 45 A |
| 系列 | FDMS86152 |
| 单位重量 | 0.154359 oz |
| RDS（ON） | 6 mOhms |
| 功率耗散 | 125 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 正向跨导 - 闵 | 42 S |
| 栅极电荷Qg | 36 nC |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 上升时间 | 6 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 5 ns |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 14A (Ta), 45A (Tc) |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Qg - Gate Charge | 36 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| 商品名 | PowerTrench Power Clip |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 45 A |
| 长度 | 3.3 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 6 mOhms |
| 身高 | 0.8 mm |
| 典型导通延迟时间 | 17 ns |
| Pd - Power Dissipation | 125 W |
| 技术 | Si |
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